基本信息
| 标准名称： | 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 |
| 英文名称： | Semiconductor devices－Discrete devices－Part 8: Field-effect transistors |
| 中标分类： | 电子元器件与信息技术 >> 半导体分立器件 >> 半导体三极管 |
| ICS分类： | 电子学 >> 半导体器件 |
| 替代情况： | GB 4586-1984 |
| 发布部门： | 国家技术监督局 |
| 发布日期： | 1994-12-31 |
| 实施日期： | 1995-08-01 |
| 首发日期： | 1984-07-21 |
| 作废日期： | 1900-01-01 |
| 主管部门： | 信息产业部（电子） |
| 提出单位： | 中华人民共和国电子工业部 |
| 归口单位： | 全国半导体器件标准化技术委员会 |
| 起草单位： | 电子工业部标准化研究所 |
| 起草人： | 王长福刘美英顾振球徐锦仙 |
| 出版社： | 中国标准出版社 |
| 出版日期： | 2004-08-10 |
| 页数： | 平装16开， 页数：38， 字数：39千字 |
| 书号： | 155066.1-12101 |
适用范围
本标准等同采用IEC 747-8-1984《半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管》及其IEC 747-8第1次更改（1991）。本标准给出了下列类型场效应晶体管的标准：--A型：结栅型；--B型：绝缘栅耗尽型；--C型：绝缘栅增强型。
前言
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目录
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引用标准
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所属分类： 电子元器件与信息技术 半导体分立器件 半导体三极管 电子学 半导体器件